库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥12.435873 | ￥12.44 |
| 10 | ￥11.082859 | ￥110.83 |
| 100 | ￥8.637631 | ￥863.76 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | U-MOSVIII-H |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 52A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 13.8 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 300µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 28 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1800 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 72W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FDP120N10 | onsemi | ¥18.74000 | 类似 |
| HUF75542P3 | onsemi | ¥26.88000 | 类似 |
TK22E10N1,S1X
型号：TK22E10N1,S1X
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N CH 100V 52A TO220
库存：0
单价：
| 1+： | ￥12.435873 |
| 10+： | ￥11.082859 |
| 100+： | ￥8.637631 |
| 500+： | ￥7.135455 |
| 1000+： | ￥5.633245 |
| 2000+： | ￥5.257695 |
| 5000+： | ￥5.121129 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥12.44