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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 500 | ￥45.37231 | ￥22686.15 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | EPC |
| 系列: | eGaN® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（半桥） |
| FET 功能: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A（Ta），40A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.2 毫欧 @ 25A，5V，2.1 毫欧 @ 25A，5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V @ 4mA，2.5V @ 16mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.9nC @ 15V，19nC @ 15V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 475pF @ 15V，1960pF @ 15V |
| 功率 - 最大值: | - |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 模具 |
| 供应商器件封装: | 模具 |
| 标准包装: | 500 |
EPC2100ENGRT
型号：EPC2100ENGRT
品牌：EPC
描述：GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
库存：0
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| 500+： | ￥45.37231 |
货期：1-2天
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