ES1JL RVG

制造商编号:
ES1JL RVG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
规格说明书:
ES1JL RVG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.548041 4.55
10 3.405902 34.06
100 2.11843 211.84

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 8pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

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ES1JL RVG

型号:ES1JL RVG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

库存:0

单价:

1+: ¥4.548041
10+: ¥3.405902
100+: ¥2.11843
500+: ¥1.449674
1000+: ¥1.115091
3000+: ¥1.003601
6000+: ¥0.947839
15000+: ¥0.864196
30000+: ¥0.808446
75000+: ¥0.760287

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥4.55