SQ2310ES-T1_GE3

制造商编号:
SQ2310ES-T1_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 20V 6A TO236
规格说明书:
SQ2310ES-T1_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.229789 8.23
10 7.265468 72.65
100 5.57175 557.17

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 30 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 485 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SQ2310ES-T1_BE3 Vishay Siliconix ¥7.22000 直接

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SQ2310ES-T1_GE3

型号:SQ2310ES-T1_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 20V 6A TO236

库存:0

单价:

1+: ¥8.229789
10+: ¥7.265468
100+: ¥5.57175
500+: ¥4.404351
1000+: ¥3.523467
3000+: ¥3.303246

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