货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.229789 | ¥8.23 |
10 | ¥7.265468 | ¥72.65 |
100 | ¥5.57175 | ¥557.17 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 30 毫欧 @ 5A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 8.5 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 485 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3(TO-236) |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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SQ2310ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | ¥7.22000 | 直接 |
SQ2310ES-T1_GE3
型号:SQ2310ES-T1_GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 20V 6A TO236
库存:0
单价:
1+: | ¥8.229789 |
10+: | ¥7.265468 |
100+: | ¥5.57175 |
500+: | ¥4.404351 |
1000+: | ¥3.523467 |
3000+: | ¥3.303246 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.23