STGP10H60DF

制造商编号:
STGP10H60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 20A 115W TO220
规格说明书:
STGP10H60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.240047 18.24
10 16.356361 163.56
100 13.148376 1314.84

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 20 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 40 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V @ 15V,10A
功率 - 最大值: 115 W
开关能量: 83µJ(开),140µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 57 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 19.5ns/103ns
测试条件: 400V,10A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 107 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 50

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STGP10H60DF

型号:STGP10H60DF

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 20A 115W TO220

库存:0

单价:

1+: ¥18.240047
10+: ¥16.356361
100+: ¥13.148376
500+: ¥10.802858
1000+: ¥10.191362

货期:1-2天

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