BSN20BKR

制造商编号:
BSN20BKR
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB
规格说明书:
BSN20BKR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.916575 3.92
10 3.207861 32.08
100 1.700539 170.05

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 265mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.8 欧姆 @ 200mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.49 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 20.2 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 310mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-236AB
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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BSN20BKR

型号:BSN20BKR

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 60V 265MA TO236AB

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1+: ¥3.916575
10+: ¥3.207861
100+: ¥1.700539
500+: ¥1.118698
1000+: ¥0.760636
3000+: ¥0.686097
6000+: ¥0.5966

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