货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥21.269788 | ¥21.27 |
10 | ¥19.074417 | ¥190.74 |
100 | ¥15.331231 | ¥1533.12 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.9 毫欧 @ 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 585 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 12826 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.3W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerDI5060-8(K 类) |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 2,500 |
DMP2002UPS-13
型号:DMP2002UPS-13
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8
库存:0
单价:
1+: | ¥21.269788 |
10+: | ¥19.074417 |
100+: | ¥15.331231 |
500+: | ¥12.596091 |
1000+: | ¥10.436718 |
2500+: | ¥9.815095 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥21.27