IXTK22N100L

制造商编号:
IXTK22N100L
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
规格说明书:
IXTK22N100L说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 436.654545 436.65
10 407.369757 4073.70
100 353.702988 35370.30

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Linear
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 22A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 @ 11A,20V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 270 nC @ 15 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7050 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 700W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-264(IXTK)
封装/外壳: TO-264-3,TO-264AA
标准包装: 25

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IXTK22N100L

型号:IXTK22N100L

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO264

库存:0

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1+: ¥436.654545
10+: ¥407.369757
100+: ¥353.702988

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