货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥436.654545 | ¥436.65 |
10 | ¥407.369757 | ¥4073.70 |
100 | ¥353.702988 | ¥35370.30 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | Linear |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 1000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 22A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 20V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 600 毫欧 @ 11A,20V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 270 nC @ 15 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7050 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 700W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-264(IXTK) |
封装/外壳: | TO-264-3,TO-264AA |
标准包装: | 25 |
IXTK22N100L
型号:IXTK22N100L
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
库存:0
单价:
1+: | ¥436.654545 |
10+: | ¥407.369757 |
100+: | ¥353.702988 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥436.65