TSM2N100CP ROG Taiwan Semiconductor台湾积体电路分立半导体产品数据表库存价格-壹方微芯

库存：0

货期： 8周-10周

封装： 卷带（TR）

属性	参数值
制造商:	Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列:	-
包装:	卷带（TR）剪切带（CT）
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	1000 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.85A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	8.5 欧姆 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	17 nC @ 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	625 pF @ 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	77W（Tc）
工作温度:	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252，（D-Pak）
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
标准包装:	2,500

客服

购物车