货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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20 | ¥283.384584 | ¥5667.69 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Microchip(微芯) |
系列: | POWER MOS 8™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 42A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 110 毫欧 @ 28A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 2.5mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 280 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 11300 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 480W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 底座安装 |
供应商器件封装: | ISOTOP® |
封装/外壳: | SOT-227-4,miniBLOC |
标准包装: | 1 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
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IXFN60N80P | IXYS | ¥307.19000 | 类似 |
IXFN48N60P | IXYS | ¥221.25000 | 类似 |
APT39F60J
型号:APT39F60J
品牌:Microchip微芯
描述:MOSFET N-CH 600V 42A ISOTOP
库存:0
单价:
20+: | ¥283.384584 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00