SIHA12N60E-E3

制造商编号:
SIHA12N60E-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220
规格说明书:
SIHA12N60E-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 23.196151 23.20
10 20.826382 208.26
100 16.736906 1673.69

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 380 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 58 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 937 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 33W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220 整包
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
R6015FNX Rohm Semiconductor ¥47.69000 类似
STF16N60M2 STMicroelectronics ¥16.36000 类似
STF13N60M2 STMicroelectronics ¥13.36000 类似
FCPF380N60E Rochester Electronics, LLC ¥6.64354 类似
FCPF400N60 onsemi ¥17.97000 类似

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SIHA12N60E-E3

型号:SIHA12N60E-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220

库存:0

单价:

1+: ¥23.196151
10+: ¥20.826382
100+: ¥16.736906
500+: ¥13.750906
1000+: ¥11.786483

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥23.20