CSD25310Q2

制造商编号:
CSD25310Q2
制造商:
TI德州仪器
描述:
MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON
规格说明书:
CSD25310Q2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.204351 6.20
10 5.319081 53.19
100 3.970412 397.04

规格参数

属性 参数值
制造商: TI(德州仪器)
系列: NexFET™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 23.9 毫欧 @ 5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 4.7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 655 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.9W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 6-WSON(2x2)
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMPB29XPE,115 Nexperia USA Inc. ¥3.46000 类似

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型号:CSD25310Q2

品牌:TI德州仪器

描述:MOSFET P-CH 20V 20A 6WSON

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1+: ¥6.204351
10+: ¥5.319081
100+: ¥3.970412
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