货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥29.318358 | ¥29.32 |
10 | ¥26.354195 | ¥263.54 |
100 | ¥21.184441 | ¥2118.44 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Vishay(威世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 380 毫欧 @ 6A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 70 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1224 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 156W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D²PAK(TO-263) |
封装/外壳: | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
标准包装: | 1,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
IPB60R380C6ATMA1 | Infineon Technologies | ¥18.89000 | 类似 |
SIHB12N65E-GE3
型号:SIHB12N65E-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥29.318358 |
10+: | ¥26.354195 |
100+: | ¥21.184441 |
500+: | ¥17.404909 |
1000+: | ¥14.918456 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥29.32