SPB20N60C3ATMA1

制造商编号:
SPB20N60C3ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3
规格说明书:
SPB20N60C3ATMA1说明书

库存 :7264

货期: 国内(1~2天)

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 68.757642 68.76
10 61.772462 617.72
100 50.610225 5061.02

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 190 毫欧 @ 13.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 114 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2400 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 208W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-3-2
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
标准包装: 1,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STB30N80K5 STMicroelectronics ¥64.05000 类似
STB24NM60N STMicroelectronics ¥52.84000 类似
STB21N65M5 STMicroelectronics ¥42.31000 类似
STB20N65M5 STMicroelectronics ¥27.80000 类似

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SPB20N60C3ATMA1

型号:SPB20N60C3ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 650V 20.7A TO263-3

库存:7264

单价:

1+: ¥68.757642
10+: ¥61.772462
100+: ¥50.610225
500+: ¥43.256639
1000+: ¥43.256639

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥68.76