APTM50H10FT3G

制造商编号:
APTM50H10FT3G
制造商:
Microchip微芯
描述:
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
规格说明书:
APTM50H10FT3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
8 1152.42564 9219.41

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: 4 个 N 通道(H 桥)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 37A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 120 毫欧 @ 18.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 96nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4367pF @ 25V
功率 - 最大值: 312W
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP3
供应商器件封装: SP3
标准包装: 1

客服

购物车

APTM50H10FT3G

型号:APTM50H10FT3G

品牌:Microchip微芯

描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3

库存:0

单价:

8+: ¥1152.42564

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00