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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 停产 |
| 晶体管类型: | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 500mA，600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 65V，60V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 400mV @ 10mA， 100mA， 500mV @ 50mA， 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 100 @ 100mA，1V / 100 @ 150mA，10V |
| 功率 - 最大值: | 200mW |
| 频率 - 跃迁: | 100MHz |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | SOT-363 |
| 标准包装: | 3,000 |
HBDM60V600W-7
型号：HBDM60V600W-7
品牌：Diodes美台
描述：TRANS NPN/PNP 65V/60V SOT363
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