FZ1000R33HE3C1NOSA1

制造商编号:
FZ1000R33HE3C1NOSA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K
规格说明书:
FZ1000R33HE3C1NOSA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
2 2100894.505823 4201789.01

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 单开关
电压 - 集射极击穿(最大值): 3300 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 kA
功率 - 最大值: 1600000 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 3.1V @ 15V,1kA
电流 - 集电极截止(最大值): 5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 190 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: AG-IHVB130-3
标准包装: 2

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FZ1000R33HE3C1NOSA1

型号:FZ1000R33HE3C1NOSA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

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