货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥12.960208 | ¥12.96 |
10 | ¥11.571859 | ¥115.72 |
100 | ¥9.02507 | ¥902.51 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 不适用于新设计 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 80V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.4A,2.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 130 毫欧 @ 3.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.2nC @ 5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 600pF @ 10V |
功率 - 最大值: | 2W |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOP |
标准包装: | 2,500 |
SH8M41TB1
型号:SH8M41TB1
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET N/P-CH 80V 3.4A/2.6A SOP8
库存:0
单价:
1+: | ¥12.960208 |
10+: | ¥11.571859 |
100+: | ¥9.02507 |
500+: | ¥7.455368 |
1000+: | ¥5.885827 |
2500+: | ¥5.493418 |
5000+: | ¥5.350719 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥12.96