库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥20.428356 | ￥20.43 |
| 10 | ￥18.361896 | ￥183.62 |
| 100 | ￥14.761134 | ￥1476.11 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | HEXFET® |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N-通道（双） |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 55V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.1A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 50 毫欧 @ 5.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 44nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 780pF @ 25V |
| 功率 - 最大值: | 2.4W |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SO |
| 标准包装: | 4,000 |
IRF7341GTRPBF
型号：IRF7341GTRPBF
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 55V 5.1A
库存：0
单价：
| 1+： | ￥20.428356 |
| 10+： | ￥18.361896 |
| 100+： | ￥14.761134 |
| 500+： | ￥12.127431 |
| 1000+： | ￥11.549929 |
| 4000+： | ￥11.549929 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥20.43