SI9936DY,518

制造商编号:
SI9936DY,518
制造商:
NXP恩智浦
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1
规格说明书:
SI9936DY,518说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: NXP(恩智浦)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR)
零件状态: 停产
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 50 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): -
功率 - 最大值: 900mW
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IRF7303TRPBF Infineon Technologies ¥8.06000 类似

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SI9936DY,518

型号:SI9936DY,518

品牌:NXP恩智浦

描述:MOSFET 2N-CH 30V 5A SOT96-1

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