库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.56683 | ￥15.57 |
| 10 | ￥13.931815 | ￥139.32 |
| 100 | ￥10.85861 | ￥1085.86 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Vishay(威世) |
| 系列: | TrenchFET® Gen IV |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | 2 N 沟道（双）共漏 |
| FET 功能: | 标准 |
| 漏源电压（Vdss）: | 25V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 30.5A（Ta），60A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3.5 毫欧 @ 7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 56nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 2650pF @ 10V |
| 功率 - 最大值: | 5.2W（Ta），69.4W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8SCD |
| 供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8SCD |
| 标准包装: | 3,000 |
SISF02DN-T1-GE3
型号：SISF02DN-T1-GE3
品牌：Vishay威世
描述：MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.56683 |
| 10+： | ￥13.931815 |
| 100+： | ￥10.85861 |
| 500+： | ￥8.970473 |
| 1000+： | ￥7.081963 |
| 3000+： | ￥7.0819 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.57