库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.008879 | ￥14.01 |
| 10 | ￥12.527061 | ￥125.27 |
| 100 | ￥9.766548 | ￥976.65 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Diodes(美台) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 60A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 28 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 31.9 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1942 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.8W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| AOT414 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥10.21000 | 类似 |
| FDP3672 | onsemi | ¥17.28000 | 类似 |
| IXTP44N10T | IXYS | ¥14.90000 | 类似 |
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | ¥19.12000 | 类似 |
| IRL540NPBF | Infineon Technologies | ¥12.52000 | 类似 |
DMNH10H028SCT
型号：DMNH10H028SCT
品牌：Diodes美台
描述：MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥14.008879 |
| 10+： | ￥12.527061 |
| 100+： | ￥9.766548 |
| 500+： | ￥8.068134 |
| 1000+： | ￥6.369652 |
| 2000+： | ￥5.945008 |
| 5000+： | ￥5.790591 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.01