US1JHR3G

制造商编号:
US1JHR3G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
规格说明书:
US1JHR3G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: Automotive, AEC-Q101
包装: 卷带(TR)
零件状态: Digi-Key 停止提供
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.7 V @ 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 75 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 1,800

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
US1J-13-F Diodes Incorporated ¥3.61000 类似
CMR1-06M TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥5.07000 类似
CMR1U-06M TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥10.21000 类似
S1J-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.00000 类似
RS1JHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division ¥3.92000 类似

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US1JHR3G

型号:US1JHR3G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

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