IPD80R450P7ATMA1

制造商编号:
IPD80R450P7ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 800V 11A TO252
规格说明书:
IPD80R450P7ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 26.446203 26.45
10 23.766769 237.67
100 19.105548 1910.55

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: CoolMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 450 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 220µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 24 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 770 pF @ 500 V
FET 功能: 超级结
功率耗散(最大值): 73W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO252-2
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STD8N60DM2 STMicroelectronics ¥11.83000 类似
CDM7-600LR TR13 PBFREE Central Semiconductor Corp ¥13.36000 类似
TSM70N600CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥12.67000 类似
STD10NM60ND STMicroelectronics ¥15.67000 类似
FCD7N60TM onsemi ¥13.21000 类似

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IPD80R450P7ATMA1

型号:IPD80R450P7ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 800V 11A TO252

库存:0

单价:

1+: ¥26.446203
10+: ¥23.766769
100+: ¥19.105548
500+: ¥15.697283
1000+: ¥14.949801
2500+: ¥14.949204

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥26.45