STU6N62K3

制造商编号:
STU6N62K3
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK
规格说明书:
STU6N62K3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 19.95588 19.96
10 17.884447 178.84
100 14.376315 1437.63

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH3™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.2 欧姆 @ 2.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 30 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 875 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 90W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251(IPAK)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 75

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
TSM60NB900CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation ¥23.35000 类似
IPU60R1K0CEAKMA2 Rochester Electronics, LLC ¥1.91274 类似

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STU6N62K3

型号:STU6N62K3

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK

库存:0

单价:

1+: ¥19.95588
10+: ¥17.884447
100+: ¥14.376315
500+: ¥11.811543
1000+: ¥10.737818

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