IDV30E60C

制造商编号:
IDV30E60C
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP
规格说明书:
IDV30E60C说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 21A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 2.05 V @ 30 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 130 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 40 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-2 整包
供应商器件封装: PG-TO220-2 整包
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RFVS8TJ6SGC9 Rohm Semiconductor ¥9.45000 类似
STTH5L06FP STMicroelectronics ¥12.21000 类似
RFNL20TJ6SGC9 Rohm Semiconductor ¥13.67000 类似
RFV12TJ6SGC9 Rohm Semiconductor ¥12.29000 类似
STTH12R06FP STMicroelectronics ¥21.20000 类似

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IDV30E60C

型号:IDV30E60C

品牌:Infineon英飞凌

描述:DIODE GEN PURP 600V 21A TO22FP

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