货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥20.483284 | ¥20.48 |
10 | ¥18.374543 | ¥183.75 |
100 | ¥14.76757 | ¥1476.76 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 7.8 毫欧 @ 16.4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 23 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PowerPAK® 1212-8 |
封装/外壳: | PowerPAK® 1212-8 |
标准包装: | 3,000 |
SI7116DN-T1-E3
型号:SI7116DN-T1-E3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
库存:0
单价:
1+: | ¥20.483284 |
10+: | ¥18.374543 |
100+: | ¥14.76757 |
500+: | ¥12.13267 |
1000+: | ¥10.399433 |
3000+: | ¥10.399433 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.48