PSMN2R0-40YLDX

制造商编号:
PSMN2R0-40YLDX
制造商:
Nexperia安世
描述:
MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56
规格说明书:
PSMN2R0-40YLDX说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 17.382131 17.38
10 15.621537 156.22
100 12.560641 1256.06

规格参数

属性 参数值
制造商: Nexperia(安世)
系列: TrenchMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 180A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 2.1 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.05V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 92 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6581 pF @ 20 V
FET 功能: 肖特基二极管(体)
功率耗散(最大值): 166W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LFPAK56,Power-SO8
封装/外壳: SC-100,SOT-669
标准包装: 1,500

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PSMN2R0-40YLDX

型号:PSMN2R0-40YLDX

品牌:Nexperia安世

描述:MOSFET N-CH 40V 180A LFPAK56

库存:0

单价:

1+: ¥17.382131
10+: ¥15.621537
100+: ¥12.560641
500+: ¥10.319515
1500+: ¥8.845229

货期:1-2天

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