TT8M2TR

制造商编号:
TT8M2TR
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8
规格说明书:
TT8M2TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 90 毫欧 @ 2.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180pF @ 10V
功率 - 最大值: 1.25W
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 8-TSST
标准包装: 3,000

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TT8M2TR

型号:TT8M2TR

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V 2.5A TSST8

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