- 制造商编号：
- IS61WV25616EDBLL-10TLI
- 制造商：
- ISSI芯成
- 描述：
- IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
- 规格说明书：
- IS61WV25616EDBLL-10TLI说明书
库存 ：3222
货期： 国内（1~2天）
封装： 托盘
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥38.295396 | ￥38.30 |
| 10 | ￥34.718258 | ￥347.18 |
| 25 | ￥33.970005 | ￥849.25 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ISSI(芯成) |
| 系列: | - |
| 包装: | 托盘 |
| 零件状态: | 在售 |
| 存储器类型: | 易失 |
| 存储器格式: | SRAM |
| 技术: | SRAM - 异步 |
| 存储容量: | 4Mb（256K x 16） |
| 存储器接口: | 并联 |
| 写周期时间 - 字，页: | 10ns |
| 访问时间: | 10 ns |
| 电压 - 供电: | 2.4V ~ 3.6V |
| 工作温度: | -40°C ~ 85°C（TA） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 44-TSOP II |
| 标准包装: | 135 |
文档与视频信息
| 属性 | 属性值 |
|---|---|
| 规格书 | IS6(1,4)WV25616EDBLL |
| HTML 规格书 | IS6(1,4)WV25616EDBLL |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CY62147G30-45ZSXI | Rochester Electronics, LLC | ¥59.21000 | 类似 |
| CY62146ESL-45ZSXI | Rochester Electronics, LLC | ¥35.87533 | 类似 |
| 71V416S15PHG | Renesas Electronics America Inc | ¥63.90000 | 类似 |
| 71V416S12PHG8 | Renesas Electronics America Inc | ¥50.27606 | 类似 |
| 71V416S12PHG | Renesas Electronics America Inc | ¥63.90000 | 类似 |
IS61WV25616EDBLL-10TLI
型号：IS61WV25616EDBLL-10TLI
品牌：ISSI芯成
描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
库存：3222
单价：
| 1+： | ￥38.295396 |
| 10+： | ￥34.718258 |
| 25+： | ￥33.970005 |
| 40+： | ￥33.785118 |
| 135+： | ￥30.291496 |
| 270+： | ￥30.181521 |
| 540+： | ￥29.078689 |
| 945+： | ￥27.644924 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥38.30