SIZ320DT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ320DT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
规格说明书:
SIZ320DT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.662936 8.66
10 7.598307 75.98
100 5.822063 582.21

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: PowerPAIR®, TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 25V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 30A (Tc),40A (Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 8.3 毫欧 @ 8A,10V,4.24 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.9nC @ 4.5V,11.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 660pF @ 12.5V,1370pF @ 12.5V
功率 - 最大值: 16.7W,31W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power33(3x3)
标准包装: 3,000

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SIZ320DT-T1-GE3

型号:SIZ320DT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33

库存:0

单价:

1+: ¥8.662936
10+: ¥7.598307
100+: ¥5.822063
500+: ¥4.602709
1000+: ¥3.68217
3000+: ¥3.452032

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