货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥10.41832 | ¥10.42 |
10 | ¥9.296698 | ¥92.97 |
100 | ¥7.248142 | ¥724.81 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ON(安森美) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 最后售卖 |
FET 类型: | 2 N-通道(双) |
FET 功能: | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss): | 30V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 5.5A,6.3A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17.4 毫欧 @ 9A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 605pF @ 15V |
功率 - 最大值: | 800mW,810mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-WDFN 裸露焊盘 |
供应商器件封装: | 8-WDFN(3x3) |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
HS8K11TB | Rohm Semiconductor | ¥5.15000 | 类似 |
NTLLD4901NFTWG
型号:NTLLD4901NFTWG
品牌:ON安森美
描述:MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/6.3A 8WDFN
库存:0
单价:
1+: | ¥10.41832 |
10+: | ¥9.296698 |
100+: | ¥7.248142 |
500+: | ¥5.987548 |
1000+: | ¥4.727011 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.42