SI4838DY-T1-E3

制造商编号:
SI4838DY-T1-E3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 12V 17A 8SO
规格说明书:
SI4838DY-T1-E3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 31.133659 31.13
10 27.997913 279.98
100 22.94031 2294.03

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3 毫欧 @ 25A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 600mV @ 250µA(最小)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 60 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.6W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 8-SOIC
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装: 2,500

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SI4838DY-T1-E3

型号:SI4838DY-T1-E3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 12V 17A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥31.133659
10+: ¥27.997913
100+: ¥22.94031
500+: ¥19.528712
1000+: ¥17.646419
2500+: ¥17.646419

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