货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥16.238242 | ¥16.24 |
10 | ¥14.475162 | ¥144.75 |
100 | ¥11.284459 | ¥1128.45 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ DM2 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 600 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 13.5 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 375 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 85W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FCD7N60TM-WS | onsemi | ¥13.90000 | 类似 |
CDM7-600LR TR13 PBFREE | Central Semiconductor Corp | ¥13.36000 | 类似 |
IPD70R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | ¥8.14000 | 类似 |
STD8N60DM2
型号:STD8N60DM2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 600V 8A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥16.238242 |
10+: | ¥14.475162 |
100+: | ¥11.284459 |
500+: | ¥9.321671 |
1000+: | ¥7.805174 |
2500+: | ¥7.805211 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥16.24