MUR360S V6G

制造商编号:
MUR360S V6G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
规格说明书:
MUR360S V6G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 1.910405 5731.22

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 3A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AB,SMC
供应商器件封装: DO-214AB(SMC)
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
S3J-13-F Diodes Incorporated ¥3.07000 类似
STTH3L06S STMicroelectronics ¥6.99000 类似

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MUR360S V6G

型号:MUR360S V6G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB

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