STGP19NC60SD

制造商编号:
STGP19NC60SD
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 600V 40A 130W TO220
规格说明书:
STGP19NC60SD说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 24.630902 24.63
10 22.132998 221.33
100 17.792812 1779.28

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,12A
功率 - 最大值: 130 W
开关能量: 135µJ(开),815µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 54.5 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 17.5ns/175ns
测试条件: 480V,12A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 31 ns
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 50

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies ¥23.58000 类似

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型号:STGP19NC60SD

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 600V 40A 130W TO220

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10+: ¥22.132998
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