NTR2101PT1G

制造商编号:
NTR2101PT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 8V SOT23-3
规格说明书:
NTR2101PT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.960994 4.96
10 3.723854 37.24
100 2.319358 231.94

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3.7A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1173 pF @ 4 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 960mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

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NTR2101PT1G

型号:NTR2101PT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 8V SOT23-3

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1+: ¥4.960994
10+: ¥3.723854
100+: ¥2.319358
500+: ¥1.586598
1000+: ¥1.220492
3000+: ¥1.098431
6000+: ¥1.03742

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