库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥24.769158 | ￥24.77 |
| 10 | ￥22.22613 | ￥222.26 |
| 100 | ￥17.865368 | ￥1786.54 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | π-MOSVIII |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 900 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2 欧姆 @ 3.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 700µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 32 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1350 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 200W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-3P（N） |
| 封装/外壳: | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装: | 25 |
TK7J90E,S1E
型号：TK7J90E,S1E
品牌：Toshiba东芝
描述：MOSFET N-CH 900V 7A TO3P
库存：0
单价：
| 1+： | ￥24.769158 |
| 10+： | ￥22.22613 |
| 100+： | ￥17.865368 |
| 500+： | ￥14.677772 |
| 1000+： | ￥12.161508 |
| 2000+： | ￥11.437196 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥24.77