库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥106.531316 | ￥106.53 |
| 100 | ￥97.954211 | ￥9795.42 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Microchip(微芯) |
| 系列: | POWER MOS 8™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | PT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 900 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 117 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 193 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 3.1V @ 15V，38A |
| 功率 - 最大值: | 500 W |
| 开关能量: | 1192µJ（开），1088µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 162 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 18ns/131ns |
| 测试条件: | 600V，38A，4.7 欧姆，15V |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 变式 |
| 标准包装: | 1 |
APT64GA90B2D30
型号：APT64GA90B2D30
品牌：Microchip微芯
描述：IGBT 900V 117A 500W TO-247
库存：0
单价：
| 1+： | ￥106.531316 |
| 100+： | ￥97.954211 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥106.53