1N5622C.TR

制造商编号:
1N5622C.TR
制造商:
Semtech升特
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
规格说明书:
1N5622C.TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
500 38.041403 19020.70

规格参数

属性 参数值
制造商: Semtech(升特)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 雪崩
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 2 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 500 nA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 23pF @ 5V,1MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: 轴向
供应商器件封装: 轴向
工作温度 - 结: -65°C ~ 175°C
标准包装: 500

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1N5622C.TR

型号:1N5622C.TR

品牌:Semtech升特

描述:DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

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