NTJD4158CT1G

制造商编号:
NTJD4158CT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363
规格说明书:
NTJD4158CT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.302015 4.30
10 3.456532 34.57
100 2.352804 235.28

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 30V,20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 250mA,880mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.5 欧姆 @ 10mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 1.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 33pF @ 5V
功率 - 最大值: 270mW
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装: SC-88/SC70-6/SOT-363
标准包装: 3,000

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NTJD4158CT1G

型号:NTJD4158CT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V SOT363

库存:0

单价:

1+: ¥4.302015
10+: ¥3.456532
100+: ¥2.352804
500+: ¥1.764572
1000+: ¥1.323429
3000+: ¥1.213143
6000+: ¥1.169701

货期:1-2天

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