AUIRF7669L2TR

制造商编号:
AUIRF7669L2TR
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET
规格说明书:
AUIRF7669L2TR说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
4000 65.866588 263466.35

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: HEXFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 19A(Ta),114A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.4 毫欧 @ 68A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 120 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 5660 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.3W(Ta),100W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: DirectFET™ 等距 L8
封装/外壳: DirectFET™ 等距 L8
标准包装: 4,000

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AUIRF7669L2TR

型号:AUIRF7669L2TR

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 100V 19A DIRECTFET

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