FDN339AN

制造商编号:
FDN339AN
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3
规格说明书:
FDN339AN说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.730419 4.73
10 4.061321 40.61
100 3.033167 303.32

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 35 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 500mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
RUR040N02TL Rohm Semiconductor ¥4.76000 类似
AO3400A Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.69000 类似
AO3420 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥3.53000 类似

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FDN339AN

型号:FDN339AN

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3

库存:0

单价:

1+: ¥4.730419
10+: ¥4.061321
100+: ¥3.033167
500+: ¥2.383105
1000+: ¥1.841603
3000+: ¥1.723377

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