DMN10H170SVT-7

制造商编号:
DMN10H170SVT-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
规格说明书:
DMN10H170SVT-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 5.346435 5.35
10 4.545713 45.46
100 3.396603 339.66

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 160 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 9.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1167 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.2W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TSOT-23
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装: 3,000

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DMN10H170SVT-7

型号:DMN10H170SVT-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26

库存:0

单价:

1+: ¥5.346435
10+: ¥4.545713
100+: ¥3.396603
500+: ¥2.669114
1000+: ¥2.062381
3000+: ¥1.880441
6000+: ¥1.759139

货期:1-2天

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