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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1252 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 760mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 标准包装: | 5,000 |
NTMFS4C09NBT3G
型号：NTMFS4C09NBT3G
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 30V SO8FL
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