货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥4.873959 | ¥4.87 |
10 | ¥4.134162 | ¥41.34 |
100 | ¥3.088001 | ¥308.80 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.2A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 9.6 nC @ 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 829.9 pF @ 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 780mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
---|---|---|---|
FDN028N20 | onsemi | ¥4.30000 | 类似 |
RUR040N02TL | Rohm Semiconductor | ¥4.76000 | 类似 |
AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | ¥3.53000 | 类似 |
PMV30UN2R | Nexperia USA Inc. | ¥3.61000 | 类似 |
DMG3414U-7
型号:DMG3414U-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
库存:0
单价:
1+: | ¥4.873959 |
10+: | ¥4.134162 |
100+: | ¥3.088001 |
500+: | ¥2.426287 |
1000+: | ¥1.874858 |
3000+: | ¥1.709442 |
6000+: | ¥1.599144 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥4.87