STW28N65M2

制造商编号:
STW28N65M2
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
规格说明书:
STW28N65M2说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 42.771481 42.77
10 38.433408 384.33
100 31.486275 3148.63

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: MDmesh™ M2
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 180 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 35 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1440 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 170W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247-3
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SPW24N60C3FKSA1 Infineon Technologies ¥65.74000 类似
IXFH30N60X IXYS ¥63.82000 类似
IXFH36N60P IXYS ¥89.08000 类似

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STW28N65M2

型号:STW28N65M2

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥42.771481
10+: ¥38.433408
100+: ¥31.486275
500+: ¥26.803718
1000+: ¥25.688265

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