STGW15S120DF3

制造商编号:
STGW15S120DF3
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT 1200V 15A TO247
规格说明书:
STGW15S120DF3说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

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规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 60 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.05V @ 15V,15A
功率 - 最大值: 259 W
开关能量: 540µJ(开),1.38mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 53 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 23ns/140ns
测试条件: 600V,15A,22 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 270 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247-3
标准包装: 30

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
IXDH20N120D1 IXYS ¥63.20000 类似
IXGH20N120A3 IXYS ¥57.52000 类似

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STGW15S120DF3

型号:STGW15S120DF3

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT 1200V 15A TO247

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