- 制造商编号：
- RN4990(TE85L,F)
- 制造商：
- Toshiba东芝
- 描述：
- NPN + PNP BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BE
- 规格说明书：
- RN4990(TE85L,F)说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥3.066223 | ￥3.07 |
| 10 | ￥2.302517 | ￥23.03 |
| 100 | ￥1.30343 | ￥130.34 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Toshiba(东芝) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 4.7 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | - |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 120 @ 1mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV @ 250µA，5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz，200MHz |
| 功率 - 最大值: | 200mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | US6 |
| 标准包装: | 3,000 |
RN4990(TE85L,F)
型号：RN4990(TE85L,F)
品牌：Toshiba东芝
描述：NPN + PNP BRT, Q1BSR=4.7KΩ, Q1BE
库存：0
单价：
| 1+： | ￥3.066223 |
| 10+： | ￥2.302517 |
| 100+： | ￥1.30343 |
| 500+： | ￥0.862942 |
| 1000+： | ￥0.661609 |
| 3000+： | ￥0.575299 |
| 6000+： | ￥0.51777 |
| 15000+： | ￥0.460241 |
| 30000+： | ￥0.431471 |
| 75000+： | ￥0.407044 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥3.07