BSC009NE2LS5ATMA1

制造商编号:
BSC009NE2LS5ATMA1
制造商:
Infineon英飞凌
描述:
MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
规格说明书:
BSC009NE2LS5ATMA1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 23.872454 23.87
10 21.483966 214.84
100 17.267618 1726.76

规格参数

属性 参数值
制造商: Infineon(英飞凌)
系列: OptiMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 41A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 0.9 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 57 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3900 pF @ 12 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W(Ta),74W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TDSON-8-7
封装/外壳: 8-PowerTDFN
标准包装: 5,000

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BSC009NE2LS5ATMA1

型号:BSC009NE2LS5ATMA1

品牌:Infineon英飞凌

描述:MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON

库存:0

单价:

1+: ¥23.872454
10+: ¥21.483966
100+: ¥17.267618
500+: ¥14.186853
1000+: ¥13.5112
5000+: ¥13.5112

货期:1-2天

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