货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥23.872454 | ¥23.87 |
10 | ¥21.483966 | ¥214.84 |
100 | ¥17.267618 | ¥1726.76 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | OptiMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 25 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 41A(Ta),100A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 0.9 毫欧 @ 30A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 57 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 3900 pF @ 12 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),74W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TDSON-8-7 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
标准包装: | 5,000 |
BSC009NE2LS5ATMA1
型号:BSC009NE2LS5ATMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
库存:0
单价:
1+: | ¥23.872454 |
10+: | ¥21.483966 |
100+: | ¥17.267618 |
500+: | ¥14.186853 |
1000+: | ¥13.5112 |
5000+: | ¥13.5112 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥23.87